近年来，随着高速率、低延迟通信需求的快速增长，高性能氮化镓（GaN）器件成为市场焦点。九峰山实验室近日发布了国内首个100 nm硅基氮化镓商用工艺设计套件（PDK），其性能指标达到国内领先、国际一流水平，为多个领域提供了强有力的技术支持。
PDK（Process Design Kit，工艺设计套件）是半导体制造中的关键工具包，为芯片设计者提供工艺参数、器件模型和设计规则等核心信息，是连接芯片设计与制造的重要“桥梁”。此次发布的PDK是国内首个商用方案，也是全球第二个类似方案，其技术指标能够满足高通量Ku/Ka频段低轨卫星通信需求，适用于下一代移动通信、商用卫星通信、航天领域、车联网及工业物联网等多场景应用。
硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术因其高频、高功率、高效率的性能优势，同时兼具硅基大尺寸、低成本的特点，被认为是高频高通量通信领域最具潜力的主流解决方案之一。九峰山实验室的这款PDK在多个方面实现了技术突破：其一，通过跨代际开发，采用100 nm栅长技术，跳过150 nm以下节点，显著提升了器件的截止频率，可覆盖DC到Ka波段的毫米波应用；其二，通过优化外延和器件结构设计，降低电流崩塌和接触电阻，从而提高器件效率；其三，该技术兼具低成本优势，未来可向8寸及以上大尺寸拓展，并与CMOS工艺兼容，进一步降低生产成本。
据九峰山实验室介绍，该PDK已获得多项自主知识产权，其推出不仅填补了国内技术空白，还将推动我国相关领域从“进口替代”向“技术输出”迈进，助力全球通信技术的升级与变革。
