安森美发布首款1200V SiC MOSFET功率模块

安森美近日推出其首款基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列产品。与采用第7代场截止（FS7）IGBT技术的方案相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在更小的封装体积内实现了更高的能效与功率密度，从而显著降低整体系统成本。

该系列产品具有优异的热性能和更低的功耗，支持快速开关速度，可广泛应用于三相变频驱动领域。典型应用场景包括AI数据中心、热泵、商用暖通空调（HVAC）系统、伺服电机、机器人、工业泵和风机，以及变频驱动器（VFD）中的电子换向（EC）风机等。

安森美EliteSiC SPM 31 IPM系列提供40A至70A的多种额定电流选择，与现有的IGBT SPM 31 IPM产品线（覆盖15A至35A低电流范围）形成互补。通过紧凑型封装设计，安森美目前能够提供业界领先的可扩展、灵活的集成功率模块解决方案，满足多样化的市场需求。