专利纠纷升级，英诺赛科正式起诉英飞凌

国产氮化镓大厂英诺赛科近日发布公告，宣布已正式向中国江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技（中国）有限公司、英飞凌科技（无锡）有限公司及苏州芯沃科电子科技有限公司，就两项专利侵权问题展开法律较量。

据悉，英诺赛科及其全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司（简称“英诺苏州”）作为原告，针对英飞凌等三被告，分别就202311774650.7号和202211387983.X号专利提交了起诉状。这两项专利分别涉及氮化镓（GaN）功率器件及其制备方法，以及氮化物基半导体器件及其制造方法，是英诺苏州在氮化镓领域的重要技术成果。

公告指出，英飞凌科技（无锡）有限公司作为英飞凌科技（中国）有限公司的全资控股子公司，并在其中文网站上展示、宣传及许诺销售多种型号的氮化镓半导体器件，这些产品被英诺赛科指控为涉案侵权产品。而英飞凌科技（中国）有限公司则作为涉案侵权产品的进口商和总经销商，苏州芯沃科电子科技有限公司则作为两被告在中国的增值分销商，均被卷入此次专利侵权纠纷。

英诺赛科表示，经过技术比对，他们发现涉案侵权产品落入了其专利的保护范围，三被告未经允许实施了许诺销售、销售、进口涉案侵权产品的行为，严重侵害了其专利权。因此，他们依法向法院提起诉讼，要求三被告承担相应的法律责任，包括停止侵权行为及承担赔偿责任。