重庆8英寸碳化硅项目即将投产，总投资约300亿元

重庆西永微电园的安意法半导体项目，作为科学城核心区的重大项目，已取得显著进展。

该项目的8英寸碳化硅外延、芯片生产线正在进行最后的设备安装调试，预计将于2025年2月底实现通线投片生产，并有望在三季度末开始批量生产。项目总投资约300亿元，整合了8英寸车规级碳化硅的衬底、外延、芯片研发制造，致力于打造技术先进的碳化硅衬底和晶圆工厂。

安意法半导体副总经理李志勇表示，项目建设历时14个月，已达到点亮条件，预计将在2月底通线投片，三季度末开始批量生产。该项目包括一家车规级功率芯片制造企业及其碳化硅衬底材料供应商，由三安光电和意法半导体合资设立，规划总投资约32亿美元。达产后，每年能生产48万片8英寸碳化硅车规级MOSFET功率芯片，主要应用于新能源汽车主驱逆变、充电桩和车载充电器。

三安光电与意法半导体于2023年6月宣布在中国重庆建立新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足合资厂的衬底需求。