俄罗斯宣布开发EUV光刻机，旨在成本更低、更易制造

俄罗斯近日公布了自主开发EUV（极紫外光刻）光刻机的路线图，目标是制造出比ASML更便宜、更易制造的光刻机。俄罗斯的光刻机将采用11.2nm的激光光源，与ASML标准的13.5nm不同，这将导致与现有EUV设备的不兼容，并需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这个过程可能需要十年或更长时间。

俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导的该项目，旨在制造性能具竞争力且具成本优势的EUV光刻机。Chkhalo表示，11.2nm波长的分辨率提高了20%，可以提供更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。这种调整还显著减少了光学元件的污染，延长了关键部件的使用寿命。

俄罗斯的光刻机还可使用硅基光阻剂，在较短波长下预期将具备更出色的性能表现。尽管该光刻机产量仅为ASML设备的37%，但其光源功率足以应付小规模芯片生产需求。

开发工作将分为三个阶段：第一阶段聚焦于基础研究、关键技术识别与初步元件测试；第二阶段制造每小时可处理60片200毫米晶圆的原型机，并整合至国内芯片生产线；第三阶段的目标是打造一套每小时可处理60片300毫米晶圆的系统，供工厂使用。目前尚不清楚该光刻机将支持哪些制程技术，也未提及各阶段完成的时间表。