英飞凌推出2000V CoolSiC肖特基二极管，提升功率密度

英飞凌科技推出市面上首款2000V分立式SiC二极管——CoolSiC肖特基二极管2000V G5。

该产品适用于高达1500VDC的直流母线电压应用，额定电流范围为10A至80A，是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的理想选择。

新款二极管采用TO-247PLUS-4-HCC封装，显著提升了功率密度，简化了整体设计，实现从多电平到2电平拓扑结构的平稳过渡。

同时，采用.XT互连技术降低热阻和阻抗，实现更好的热管理。HV-H3TRB可靠性测试证明其对湿度有良好耐受性。

该二极管无反向或正向恢复电流，具有正向低电压特点，确保系统效能更优。此外，与英飞凌2024年春季推出的CoolSiC MOSFET 2000V完美适配，并计划推出TO-247-2封装版本。评估板现已上市。