韩国警方12月3日表示，一名三星电子前工程师因涉嫌挖角三星的半导体核心技术人才，加上向中国成都成都高真科技（CHJS）泄漏20奈米DRAM存储器芯片技术，遭逮捕并移送检方。据韩联社报道，首尔警察厅产业技术安全侦查队今天指出，64岁三星电子（Samsung Electronics）前工程师因涉嫌违反“职业安定法”被捕，并移送首尔中央地方检察厅。
据报道，该男曾以顾问身分参与创立成都高真公司，同时期还在韩国成立猎头公司，以至少2至3倍的薪资挖角三星电子核心技术人才，协助在中国"复刻"动态随机存取内存（DRAM）工厂，并于2022年4月成功生产半导体晶圆。这座DRAM工厂从完工到投产仅费时一年三个月。一般来说，晶圆从测试到量产通常需要四至五年。韩国警方提到，外流技术的经济价值高达4.3万亿韩元（约30.4亿美元），若考虑相关经济效益，实际损失规模更加庞大。除了这名前工程师，还有以相同手法挖角韩国半导体人才的两位猎头公司代表及法人被移送法办。据悉猎头公司已替成都高真挖角逾30名技术人员。尽管韩国国家关键技术外流，警方只能根据刑责较轻的“职业安定法”、而非“产业技术保护法”来逮捕涉案嫌犯。警方解释，根据现行法规，以“挖角”方式外流技术的行为不属于“产业技术保护法”规定的惩处范围，因此有必要修法相关法律，以严惩商业间谍。包括前三星工程师，成都高真技术外泄案共21人遭移送法办。成都高真创办人、三星电子前常务兼SK海力士（SK Hynix）前副社长崔珍奭等人已被捕，涉嫌违反“产业技术保护法”及“防止不正当竞争及商业秘密护法”。
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