三菱电机推出新型SiC-MOSFET裸片，助力xEV性能提升

三菱电机集团宣布，自11月14日起提供用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）等xEV电驱逆变器的碳化硅（SiC）MOSFET裸片样品。这款SiC-MOSFET功率半导体芯片是三菱电机首款标准规格产品，旨在满足xEV逆变器多样化需求，推动xEV普及，助力全球脱碳。

新型SiC-MOSFET裸片采用特有的沟槽栅技术，与传统平面栅SiC-MOSFET相比，功率损耗降低约50%，导通电阻更低，开关损耗减少，显著提升逆变器性能，延长xEV续航里程，降低电力成本。三菱电机在Si功率半导体芯片制造领域积累的先进小型化技术和独特制造工艺，如栅极氧化膜工艺，进一步增强了逆变器的耐用性和xEV性能。

三菱电机自1997年开始量产xEV功率半导体模块，对提高逆变器可靠性和解决小型化问题做出了贡献。2024年3月，公司推出采用最新压注模技术实现小型化设计的J3系列xEV功率半导体样品，广泛应用于汽车市场。

主要规格包括额定电压1200V和750V，导通电阻分别为9.0mΩ和7.8mΩ，正面和背面电极均兼容焊料键合和银烧结键合。样品价格依据报价，样品自2024年11月14日起提供。