天科合达二期项目启动，碳化硅衬底产能大幅扩张

11月12日，北京天科合达半导体股份有限公司（简称“天科合达”）正式启动了“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”。

二期项目占地面积达52790.032平方米，总建筑面积更是高达105913.29平方米，涵盖了生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等关键设施。

据天科合达透露，二期项目将新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，并配备长晶及附属、晶体加工、晶片加工等先进工艺设备。投产后，该生产线将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底的产能，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。

天科合达此次扩产项目旨在打造行业内领先的智能化生产线，量产8英寸碳化硅衬底。这一举措不仅将进一步提升公司的生产效率，还将有助于推动碳化硅衬底技术的持续进步和产业升级。