天科合达启动8英寸SiC衬底二期项目，加速产能扩张

11月12日，天科合达宣布其“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”在北京正式开工。该项目的目标是建立行业内领先的智能化生产线，专注于8英寸碳化硅衬底的量产，预计全面投产后将显著提升公司的产能，并进一步巩固其在碳化硅衬底市场的领先地位。

天科合达总经理杨建在开工仪式上强调，公司的核心产品6-8英寸碳化硅衬底在技术参数上与国际龙头企业相当，产品质量达到国际先进水平。

公司产品已向国内外多家企业和科研机构批量供应，为国产碳化硅材料在功率器件、微波射频器件等领域的应用奠定了基础。此外，公司产品畅销至日本及欧美等20多个国家和地区，是国内少数能够进入国际知名企业的高端技术产品之一。

天科合达表示，二期项目的建设不仅对公司自身的发展具有重要意义，也将对整个半导体行业产生积极影响，提升国产碳化硅材料的国际竞争力。