天科合达北京二期项目启动，聚焦8英寸碳化硅衬底生产

北京天科合达半导体股份有限公司（天科合达）于11月12日举行了“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”的开工仪式。该项目位于北京市大兴区，总占地面积52790.032平方米，总建筑面积105913.29平方米，包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼等。

天科合达计划购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施。项目旨在扩大公司碳化硅晶体与晶片产能，并建设研发中心以持续优化和完善生产工艺。预计投产后，将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中包括6英寸23.6万片和8英寸13.5万片。

天科合达强调，该扩产项目的目标是打造行业内领先的智能化生产线，量产8英寸碳化硅衬底。全面投产后，公司的产能将显著提升，进一步巩固其在碳化硅衬底市场的领先地位。