世界先进力挺第三代半导体，携手汉磊科技开拓市场

近日，世界先进董事长方略透露，公司将坚定不移地布局化合物半导体领域，尤其是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术。在经历了7到8年的研发和测试后，氮化镓今年正式实现量产，标志着公司在高效能半导体市场的突破。与此同时，碳化硅衬底价格的下降将助力该技术的更广泛应用，为未来的增长打开了新局面。

方略还特别提到，世界先进与汉磊科技的战略合作协议将进一步提升公司在半导体制造领域的影响力。根据协议，汉磊将使用世界先进的8英寸晶圆厂进行代工生产，预计此合作将于2026年下半年正式投产。这一合作不仅推动了公司与上下游企业的紧密联系，也为碳化硅技术的普及奠定了基础。

他补充指出，尽管碳化硅衬底的价格下降，但制造环节的成本并未随之降低。衬底价格下降主要源于产能过剩，而生产代工的技术成本仍高，这使得碳化硅的成本效益仍需优化。然而，随着市场需求的增长，8英寸晶圆厂的技术优势日益显现，尤其是在化合物半导体领域的竞争中，8英寸晶圆厂相较于传统的4/5/6英寸晶圆厂，具备更强的成本控制能力和技术优势。