投资100亿美元，美国大力投资EUV光刻技术

美国商务部联合国家半导体技术中心(NSTC)的运营商Natcast，在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术中心宣布建设“EUV加速器”，这是基于《芯片与科学法案》的首个旗舰研发站点。

该站点将专注于推进EUV光刻技术的研发，并获得了8.25亿美元的联邦资金支持。EUV加速器将整合NSTC成员资源，提供技术、能力和关键资源，以加速半导体的研发和创新。

2023年底，纽约州州长宣布将与IBM、美光、应用材料、东京电子等公司共同投资100亿美元，在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术综合体建立下一代High-NA EUV半导体研发中心。州政府还将购买ASML的High-NA EUV光刻机，以支持全球最复杂、最强大的半导体研发工作。

EUV加速器计划于2025年投入运营，同年引入0.33NA EUV光刻机，2026年进一步引入High NA EUV光刻机，为相关功能和技术支持提供保障。EUV光刻技术对于制造更小、更快、更高效的微芯片至关重要，它已成为半导体行业突破摩尔定律极限的关键技术，能够实现7nm以下晶体管的大批量生产。

这一投资和研发站点的建设标志着美国在EUV光刻技术领域的重大发力，旨在保持在全球半导体技术竞争中的领先地位，并推动下一代半导体技术的发展。