三星将引进High-NA EUV设备，加速1纳米级商用化研发

据悉，三星电子将于2025年初从荷兰ASML引进High-NA EUV设备，以加速2纳米以下先进制程的研发。High-NA EUV能够绘制更细微电路，有助于提升CPU或GPU等系统半导体的效能，并且减少曝光次数，降低生产成本。

业界预期，三星引进High-NA EUV设备后，将正式启动1纳米级的商用化研发。据韩媒报道，三星计划将引进的EXE:5000微影设备用于研究，并考虑进一步引进专用量产设备。

尽管三星引进High-NA EUV设备的时间相对较晚，但谁能够稳定量产或许才是胜出的关键。

台积电和英特尔也正在投入2纳米以下先进制程的竞争，并已分别引进High-NA EUV设备。三星原计划引进4台High-NA EUV设备，但不排除减少2台的可能性。

三星将2027年实现1.4纳米制程作为重要的商用化目标，High-NA EUV设备将为其迈向1纳米级提供有力支持。