ASML揭示High NA EUV光刻机进展与英特尔合作成果

在最近举行的SPIE（国际光学工程学会）大会上，ASML新任执行长Christophe Fouquet发表了重要演讲，重点介绍了公司最新的High NA EUV光刻机。Fouquet还确认，英特尔的第二套High NA EUV光刻机已成功组装，标志着两家公司在半导体制造领域的进一步合作。

Fouquet指出，ASML在组装High NA EUV光刻机时采用了创新的方法，直接在客户工厂进行安装。这一变革性做法避免了拆卸和再组装的繁琐流程，从而显著缩短了交付时间，降低了成本。这意味着未来High NA EUV光刻机的交货将更加迅速，满足市场对高效能芯片的迫切需求。

同时，英特尔曝光技术总监Mark Phillips也在大会上分享了公司的最新进展。他透露，波特兰工厂已成功安装两套High NA EUV光刻系统，并表示第二套设备的安装速度较第一套大幅提升，显示出团队的丰富经验。此外，所有支持High NA EUV光刻的基础设施已准备就绪，并开始运营。

在谈及未来技术时，Phillips提到，虽然目前化学放大抗蚀剂（CAR）尚能满足需求，但未来可能需要转向金属氧化物抗蚀剂。英特尔的目标是在2026至2027年实现Intel 14A制程技术的量产，进一步推动技术进步。