意法半导体发布第四代SiC MOSFET技术，提升电动车效率与效能

意法半导体（STM）近日宣布推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术，旨在提升电动车（EV）动力系统关键组件——牵引逆变器的整体效率与效能。

据报道，第四代STPOWER MOSFET技术导通电阻更小，传导损失更低，系统效率更优异，开关速度更快，可降低开关损耗，使功率转换器更精巧、高效。其平均裸晶尺寸较第三代小12~15%，可节省空间与成本，适用于更小的转换器设计。

该技术不仅适用于EV牵引逆变器，还可用于大功率工业马达驱动器，提高马达控制效率，降低能源消耗和营运成本。

在可再生能源领域，它能强化太阳能转换器和能源储存系统效率，提供可持续、成本效益高的能源解决方案。对于AI服务器数据中心等耗电、散热需求大的应用，也具有一定优势。

意法半导体正同步开发多项SiC技术创新，加速碳化硅功率元件发展，预计在未来3年内推动功率元件技术进展。750-V级第四代STPOWER MOSFET已认证，1200-V级认证预计2025年第一季度完成。