Soitec与Resonac联手，推进8英寸SiC技术发展

Soitec与Resonac（原昭和电工）宣布达成合作协议，共同开发8英寸SiC（碳化硅）技术，旨在提高8英寸碳化硅外延的生产效率，并实现供应链的多样化。Resonac将采用Soitec的SmartSiC™技术来制造8英寸衬底，该技术可优化器件良率并提高材料利用率。

Resonac正在积极扩大其SiC产品的直径，其8英寸SiC外延片已开始向客户送样。为了确保SiC衬底的产能供应，Resonac于9月12日宣布了扩产计划，并在日本山形县东根市工厂内新建了一条专门生产SiC衬底的产线，预计2025年第三季度竣工。

Soitec的SmartSiC™衬底通过Smart Cut™技术制造，具有高晶体质量，能够显著降低电阻率，使SiC MOSFET尺寸缩小5-15%。此外，Soitec还与意法半导体、X-FAB等企业合作，推进SmartSiC™技术的量产应用。

Soitec与东海炭素建立了战略合作伙伴关系，东洋炭素将利用其在多晶碳化硅方面的技术和制造能力配合Soitec SmartSiC™的生产，加强SmartSiC生态系统。

这一合作不仅展示了Soitec在碳化硅衬底技术领域的领先地位，也可能推动整个行业向更大尺寸、更高效率的SiC晶圆生产迈进。随着电动汽车和可再生能源领域对SiC需求的不断增长，这一合作有望为相关产业提供更高效、可靠的材料解决方案。