Lumileds实现InGaN红光LED技术突破，推进Micro LED显示器发展

Lumileds最近宣布在InGaN红光LED技术方面取得了显著进展，这一突破对于推动Micro LED显示器的发展具有重要意义。与AlInGaP材料相比，InGaN材料的红光LED在制造过程中能更好地与基于InGaN的绿光和蓝光LED相协调，且更适合与硅半导体制造集成，具有更好的规模经济优势。

Lumileds的科学家们首次展示了一种利用InGaN LED产生的鲜艳深红光（主波长615nm，峰值635nm），在10A/cm²的电流密度下实现了7.5%的光电转换效率。这一成果解决了高浓度铟带来的挑战，包括电流密度增加导致的光谱峰值漂移和增宽问题。

Lumileds氮化物外延开发总监Rob Armitage指出，提高10μm以下红光Micro LED的效率是实现成本效益和高效Micro LED显示器的关键。Lumileds在红光InGaN上的研究进展，证明了团队在解决成本和效率问题上的努力，有望推动其达到应用门槛。

此外，Lumileds还在单一的InGaN外延堆栈中实现了红、绿、蓝三种光的发射，并成功将这三种原色整合到单个Micro LED中，为低成本、高产量的Micro LED显示器组装带来积极影响。这一成果将有助于实现AR眼镜应用的紧凑型全彩显示器。

Rob Armitage将在即将举行的IWN 2024会议上发表演讲，讨论InGaN LED在彩色显示应用中的发展。Lumileds的这些技术突破，预示着Micro LED显示器技术的进一步成熟和市场应用的扩大。