英飞凌12寸GaN晶圆技术突破，加速宽能隙半导体竞争

英飞凌成功掌握12寸GaN晶圆制造技术，竞争对手面临压力。该技术在奥地利Villach厂区实现，预计11月慕尼黑电子展上展示实品。12寸晶圆较8寸效率提升2.3倍，且能利用现有矽基设备，降低成本，加速量产。

GaN与矽基芯片制程相似，设计简单、成本控制有优势。英飞凌更推出结合SiC、GaN、Si的解决方案，满足多样需求。GaN成本若能进一步降低，将受消费电子市场青睐，市场产值有望加速增长。

宽能隙半导体竞争激烈，GaN 12寸制程技术突破将显著改善成本结构，推动其更广泛应用。英飞凌未透露具体量产时间，但业界已感受到加速追赶的压力，预计技术落后者或将面临市场淘汰。