9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆，并计划在2024年11月慕尼黑电子展（electronica）上向公众展示首批12英寸氮化镓晶圆。
据称，英飞凌已在其位于奥地利菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂中，成功利用现有的12英寸的硅基半导体生产线，在一条集成试验线上制造出了12英寸氮化镓晶圆。
Jochen Hanebeck展示300mm GaN
相较于8英寸（200mm）晶圆，12英寸（300mm）晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，效率也显著提高。
英飞凌表示，公司是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示，这一技术突破将推动GaN市场快速增长。
英飞凌进一步介绍道，由于GaN和硅的制造工艺十分相似，因此英飞凌现有的大批量300 mm硅生产线非常适合试产可靠的GaN技术，既加快了实现的速度，又能够有效利用资本。
300mm氮化镓的全规模化生产将有助于氮化镓在RDS(on)水平上与硅的成本平价，这意味着同级的硅和GaN产品的成本将能够持平。
未来，英飞凌将根据市场需求进一步扩大氮化镓产能，300mm氮化镓制造将使英飞凌能够塑造不断增长的氮化镓市场。据估计，到2030年末，GaN市场规模将达到数十亿美元。
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