世界先进携手汉磊，共拓8英寸碳化硅晶圆

9月10日，晶圆代工巨头世界先进宣布了一项战略投资计划，拟斥资24.8亿新台币（相当于人民币约5.5亿元），旨在通过收购汉磊科技公司13%的股权，携手并进，共同开拓8英寸碳化硅（SiC）晶圆技术的研发与制造新纪元。

汉磊坐落于中国台湾新竹科学园区，长期深耕于碳化硅及氮化镓代工领域，虽已拥有4/5英寸及两座6英寸晶圆厂的坚实基础，但在迈向8英寸化合物半导体生产的征途上，却面临自建厂房成本高企的挑战。

而世界先进，坐拥五座8英寸晶圆厂及成熟的氮化镓代工业务，唯独在碳化硅技术上略显不足。两者的结合，恰如天作之合，实现了资源的完美互补与成本的有效控制。

根据双方规划，初期技术将由汉磊转移，预计于2026年下半年正式步入量产阶段。这不仅标志着汉磊在8英寸碳化硅领域的重大突破，也为世界先进增添了新的技术维度，使其在电源管理IC、分立器件及氮化镓业务之外，成功构建起涵盖第三代化合物半导体的完整8英寸晶圆制造能力。