上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”发明专利.

上海微电子装备（集团）股份有限公司于9月10日通过天眼查平台公开了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利，该专利的申请号为CN202310226636.7，由王伟伟、付辉等六位杰出工程师共同发明。

本项专利的核心在于其创新的极紫外辐射发生装置设计，该装置通过精密的腔体结构、高效的激光发生器、以及独特的带电粒子收集与排放系统，实现了对极紫外光生成过程中产生的带电粒子（如锡碎屑）的有效控制。

传统的极紫外光刻过程中，这些带电粒子容易扩散并污染收集器镜，严重缩短其使用寿命，成为制约光刻效率与精度的关键因素。而上海微电子的这项发明，通过电场约束与氢自由基反应的方式，成功地将带电粒子引导至电极板并转化为无害气体排出，同时利用惰性气体形成稳定流场，有效阻止了带电粒子的扩散，从而大大延长了收集器镜的使用寿命。

极紫外光刻技术作为当前面向7nm及以下节点的主流光刻解决方案，其重要性不言而喻。上海微电子的这项专利发明，不仅为国产光刻设备在高端市场的应用奠定了坚实基础，也为全球半导体制造业提供了一种更为高效、可靠的极紫外光刻解决方案。