ASML力推High-NA EUV，挑战高价采购难题

ASML新一代High-NA EUV系统虽已出货，但高昂价格影响采购决策。副总裁Greet Storms表示，尽管成本是考量，但EUV客户终将转向High-NA EUV，目标2026年量产。Intel已率先采用，台积电A16制程未采用，三星则重新评估采购量。

High-NA EUV单价近4亿欧元，是EUV两倍多，但可减少曝光次数，为客户节省约30%成本。该系统产能高，支持2纳米以下芯片量产，提升晶体管密度，降低缺陷率。与现行EUV兼容，降低导入风险。

High-NA EUV提升数值孔径至0.55，成像分辨率更高，晶体管密度增2.9倍，对比度提升40%。ASML持续研发降低能耗，2018-2023年每片晶圆曝光能耗减40%，目标2025年再减30-35%。

ASML预计，到2029年，使用其EUV和High-NA EUV技术生产的每片晶圆，将比传统制程节省200度电，展现其在推动半导体产业绿色化方面的努力。