功率半导体双引擎竞速：SiC与GaN共舞

功率半导体市场正经历深刻变革，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）作为第三类半导体新星，正加速发展以挑战传统硅基（Si）市场，并抢占5G、AIoT、新能源等未来产业的制高点。

近期，多家行业巨头通过并购整合，如Navitas购GeneSiC、英飞凌并GaN Systems等，加速推进SiC+GaN双引擎战略。

此战略旨在利用两种技术间的互补性，提供综合解决方案，满足客户多样化需求。同时，面对Si功率半导体市场的寡占格局，第三类半导体成为业者弯道超车的关键。特别是瑞萨电子等日系企业，依托其在工业和汽车领域的稳固地位，采取一、三类半导体并进的三引擎策略。

行业领军者英飞凌更是全力以赴，不仅并购GaN Systems，还启动了全球最大8寸SiC功率半导体工厂，展现其在SiC和GaN领域的双重布局。而GaN与SiC在应用上的差异化，如GaN在低、中压优势，SiC则主导高压领域，为材料选择提供了明确指引。

中国台湾供应链亦不甘落后，台积电、世界先进涉足GaN，联电布局SiC+GaN，富士康则从SiC拓展至GaN，中美晶更是三驾马车并进，全面覆盖SiC、GaN的制造与封装。随着技术的不断成熟与市场的持续扩张，功率半导体行业的双引擎竞赛将更加激烈。