罗姆SiC技术助力吉利极氪车型跃升新高度

罗姆半导体凭借其先进的第4代SiC MOSFET裸芯片技术，成功赋能吉利集团的高端电动汽车品牌“极氪”，为其三款主力车型“X”、“009”及“001”带来了前所未有的性能提升。

自2018年起，吉利与罗姆便开启了技术交流的序幕，并于2021年正式确立战略伙伴关系，共同探索SiC功率器件在电动汽车领域的应用潜力。如今，这一长期合作的结晶——搭载罗姆第4代SiC MOSFET的功率模块，已批量应用于极氪三款车型的主机逆变器中。

极氪“X”车型虽小，却以300kW以上的最大输出功率和超过400km的续航距离，展现了其卓越的性能与性价比；“009”则以140kWh的大容量电池和高达822km的续航距离，重新定义了小型货车的电动出行标准；而旗舰车型“001”，凭借双电动机最大输出超过400kW、续航超580km以及4轮独立控制机构等顶尖配置，成为了高性能EV市场的焦点。

罗姆的SiC MOSFET技术，正是这些车型性能飞跃的关键所在。通过提高主驱逆变器的效率，罗姆的电源解决方案不仅延长了车辆的续航距离，还显著提升了整体性能，为极氪用户带来了更加极致的出行体验。