天域半导体总部及制造中心即将试产，引领SiC外延晶片新纪元

在科技创新的浪潮中，广东天域半导体再次迈出坚实步伐。8月13日，官方宣布其总部及生产制造中心项目即将在松山湖生态园迎来试产，标志着这家国内SiC外延晶片领域的领军企业正式步入新发展阶段。

该项目总投资高达80亿元，占地面积约114.65亩，建筑面积约24万平方米，集生产、研发、生活配套于一体，规模宏大，设施先进。其核心亮点在于专注于6英寸及8英寸碳化硅（SiC）外延晶片的制造，年产能预计可达150万片，直指行业前沿，将为我国半导体产业链注入强劲动力。

天域半导体，作为SiC外延晶片领域的先行者，其技术实力有目共睹。从成功实现6英寸SiC外延晶片量产，到掌握多项国际领先技术，如20kV级以上厚外延生长、n/p型界面控制及多层连续外延生长等，每一步都彰显着其深厚的行业底蕴和创新能力。

尤为值得一提的是，随着去年B轮融资的圆满完成，天域半导体获得了包括海富产业基金在内的多家知名投资机构的大力支持，资金总额近12亿人民币。这笔资金不仅为公司的扩产计划提供了坚实保障，更为其持续加大SiC大尺寸外延生长技术的研发投入注入了强大动力。

如今，天域半导体正积极拥抱8英寸SiC外延片市场的广阔前景，加速产线建设步伐，有望率先实现国内8英寸SiC外延片的量产，进一步巩固其在行业内的领先地位。

此次试产，不仅是天域半导体发展历程中的重要里程碑，更是中国半导体产业迈向高端、走向世界的又一有力证明。天域半导体总部及制造中心即将试产，引领SiC外延晶片新纪元在科技创新的浪潮中，广东天域半导体再次迈出坚实步伐。8月13日，官方宣布其总部及生产制造中心项目即将在松山湖生态园迎来试产，标志着这家国内SiC外延晶片领域的领军企业正式步入新发展阶段。

该项目总投资高达80亿元，占地面积约114.65亩，建筑面积约24万平方米，集生产、研发、生活配套于一体，规模宏大，设施先进。其核心亮点在于专注于6英寸及8英寸碳化硅（SiC）外延晶片的制造，年产能预计可达150万片，直指行业前沿，将为我国半导体产业链注入强劲动力。

天域半导体，作为SiC外延晶片领域的先行者，其技术实力有目共睹。从成功实现6英寸SiC外延晶片量产，到掌握多项国际领先技术，如20kV级以上厚外延生长、n/p型界面控制及多层连续外延生长等，每一步都彰显着其深厚的行业底蕴和创新能力。

尤为值得一提的是，随着去年B轮融资的圆满完成，天域半导体获得了包括海富产业基金在内的多家知名投资机构的大力支持，资金总额近12亿人民币。这笔资金不仅为公司的扩产计划提供了坚实保障，更为其持续加大SiC大尺寸外延生长技术的研发投入注入了强大动力。

如今，天域半导体正积极拥抱8英寸SiC外延片市场的广阔前景，加速产线建设步伐，有望率先实现国内8英寸SiC外延片的量产，进一步巩固其在行业内的领先地位。

此次试产，不仅是天域半导体发展历程中的重要里程碑，更是中国半导体产业迈向高端、走向世界的又一有力证明。