英特尔加速芯片制造步伐：再获ASML尖端High-NA EUV设备

在半导体行业的激烈竞争中，英特尔再次展现其前瞻布局与雄厚实力。公司行政总裁Pat Gelsinger近日宣布，英特尔即将迎来ASML的第二部新型High-NA EUV（高数值孔径极紫外光）工具，此次投资高达3.5亿欧元（折合约3.83亿美元），标志着英特尔在追求更先进芯片制造技术上的坚定决心。

回顾去年12月，英特尔已成功接收并安装了第一部这一革命性设备，其安装与调试过程虽耗时数月，但预示着英特尔将有能力生产新一代、性能更为强大的电脑芯片，为市场带来前所未有的技术飞跃。

作为全球半导体设备领域的领头羊，ASML对于其高端技术的保密性向来严格。尽管如此，ASML高层在7月17日的公开声明中透露，公司已向某未公开身份的尊贵客户发出了第二台High NA曝光机的运送指令，并计划在今年内仅确认首台及可能的第二台设备的销售收入。这一举措不仅彰显了ASML在High NA技术上的领先地位，也引发了业界对于该技术实际应用时间表的广泛猜测与期待。

值得注意的是，ASML的High NA技术订单已如潮水般涌来，包括台积电、三星、英特尔等半导体巨头，以及SK 海力士和美光等存储器芯片专家在内的多家企业，均已预订了超过十台该设备。英特尔更是明确表态，计划在2027年正式将这一尖端技术商业化，进一步巩固其在全球芯片制造领域的领先地位。

与此同时，台积电也将在今年内接收一台High NA设备，尽管其具体生产使用时间尚未公布，但这一消息无疑为整个半导体行业注入了新的活力与期待。此外，ASML执行长Christophe Fouquet还预测，DRAM存储器芯片制造商如三星、SK 海力士和美光等，有望在2025年或2026年率先采用High NA技术，推动存储器市场的技术革新与产业升级。