湖南三安SiC项目二期蓄势待发：160亿投资加速产业布局

在半导体产业的热土上，湖南三安半导体再次迈出坚实步伐。7月24日，随着芯片二厂M6B设备的正式入场，湖南三安SiC项目二期即将迎来通线的关键时刻，标志着这一总投资高达160亿人民币的宏伟蓝图正逐步变为现实。此举不仅为8吋SiC产业的全面加速布局奠定了坚实基础，也预示着湖南三安半导体在功率半导体领域的又一次飞跃。

湖南三安SiC项目，作为6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台的典范，其目标是实现年产36万片6吋SiC晶圆及48万片8吋SiC晶圆的巨大产能。随着M6B工厂的投产进入倒计时，预计今年12月，这里将点亮通线，正式开启8吋SiC芯片的规模化生产，标志着湖南三安半导体正式迈入8吋SiC垂直整合制造商的新阶段。

此次项目的推进，不仅是湖南三安半导体自身实力与战略眼光的体现，更是对我国第三代半导体产业发展的一次重大贡献。湖南三安半导体，作为三安光电的全资子公司，凭借在电力电子领域的深厚积累和SiC芯片/器件的卓越出货量（已超3亿颗），已成为国内SiC全产业链垂直整合制造服务的领军者。其全流程制造服务，从长晶、衬底、外延、芯片到封测，均实现了产品迭代、质量与交付的全方位管控，技术水平和产能规模在全球同行业中均占据领先地位。