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来源:ictimes发布时间:2024-07-041468浏览
询问 AI6月30日,重庆三安半导体有限公司迎来历史性时刻,八台长晶炉正式入驻一号衬底厂房,标志着该厂通线进入最后的倒计时阶段。这一关键性进展,比原计划提前了一个多月,彰显了重庆三安项目建设的非凡速度与效率。
自去年9月施工启动以来,重庆三安意法项目组历经280天的日夜奋战,不仅完成了主体厂房的封顶与装修,还顺利推进了水电、消防、动力配套等基础设施建设。目前,项目整体进度已超95%,正处于设备安装调试的冲刺阶段。预计至8月底,衬底厂将全面点亮通线,开启崭新的生产篇章。
作为全国首条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线,三安意法碳化硅项目总投资高达300亿元,达产后将具备年产48万片8吋碳化硅衬底及车规级MOSFET功率芯片的能力,预计年营收可达170亿元。这一项目的成功实施,不仅将填补国内碳化硅产业空白,更将有力推动重庆向第三代化合物半导体之都迈进。
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2026-06-23