重庆三安碳化硅项目加速推进，8月底预计通线

6月30日，随着重庆三安主设备的顺利进场，标志着其碳化硅衬底工厂进入通线倒计时。这一重要里程碑的达成，比原计划提前了一个多月，彰显了项目建设的惊人速度。

自去年9月20日正式施工以来，重庆三安项目团队历经280天的奋力拼搏，克服了重重困难，不仅提前完成了主厂房的结构封顶和外墙装饰，还顺利完成了室外道路接驳等关键工程。目前，整体建设进度已超过95%，正全力推进设备进场安装调试工作。

据悉，三安意法碳化硅项目总投资高达300亿元人民币，旨在打造全国首条8英寸碳化硅衬底和晶圆制造线。项目达产后，将具备年产48万片8英寸碳化硅衬底及车规级MOSFET功率芯片的能力，预计年营收可达170亿元人民币。这一项目的成功实施，不仅将填补国内在该领域的空白，还将有力推动重庆成为第三代化合物半导体产业的领军城市。

随着8月底通线日期的临近，重庆三安碳化硅项目正加速向目标迈进，为推动我国半导体产业的快速发展贡献力量。