采用TSPAK封装，瑞能半导体推出全新SiC产品

为了满足各种工业应用的高功率需求，瑞能半导体在PCIM Europe 2024展会上发布了一系列创新产品。其中包括新型TSPAK封装的SiC MOSFET、SiC肖特基二极管系列、全新SiC功率模块以及全新的1700V SiC技术和汽车级1200V/750V SiC MOSFET等。这些产品广泛应用于工业、汽车和消费电子领域，为市场带来高效能和高密度的设计方案。

瑞能半导体的新型TSPAK MOSFET和SBD器件非常适用于电动汽车充电、车载充电器、光伏逆变器和高功率密度的PSU应用。新型MOSFET型号有650V、750V、1200V和1700V，电阻范围从20mΩ到150mΩ，新型SiC SBD的电流范围为10至40A（650V、750V和1200V）。

这些产品提供了多种封装选项和产品配置，包括SMD分立器件和顶部冷却，可以实现可再生能源和电动汽车的高功率、高密度设计，是高效率功率电源方案的最佳选择。

瑞能半导体成立于2015年，主要产品包括碳化硅器件、可控硅整流器和晶闸管、快恢二极管、TVS、ESD、IGBT模块等，产品广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。

展会上，瑞能半导体的展示吸引了大量参观者的目光和深入交流，展示了其在SiC技术和汽车电子领域的领先地位和创新能力。