英诺赛科逆境突围：亏损与诉讼下冲刺港股

尽管面临巨额亏损和专利诉讼的双重压力，国内氮化镓（GaN）领军企业英诺赛科仍毅然决然地冲刺港股上市。

据悉，其近三年亏损已超人民币70亿元，主因在于高昂的设备折旧、研发支出及运营成本。

与此同时，英诺赛科还陷入两起重大诉讼中，包括美国EPC和英飞凌的专利侵权案。这些诉讼悬而未决，一旦败诉，可能对公司的生产和销售造成重大打击。

然而，英诺赛科并未被困境所束缚。公司表示，此次上市的主要目的是筹集资金以扩大产能，特别是8英寸GaN晶圆产能。他们坚信，随着营收的稳步增长，亏损将逐渐缩小。

此外，英诺赛科还计划继续拓展海外市场，以应对国内外市场的挑战。英诺赛科在GaN领域的领先地位不容忽视。

其高良率、大产能以及良好的市场声誉，为公司未来的发展奠定了坚实基础。尽管面临SiC等竞争材料的挑战，但英诺赛科依然保持着对GaN技术的信心。