产品升级 | 云镓半导体大举进入工业级市场

来源:氮化镓发布时间:2024-06-134163浏览

云镓半导体

产品升级| 云镓半导体大举进入工业级市场

1. 前言

近年来，GaN功率器件的应用场景逐步向数据中心、再生能源等市场拓展，尤其是AI市场的引爆，对于能源的需求日益增加，算力的尽头是更高效地使用能源，GaN功率器件将助力AI时代来临。开年伊始，云镓半导体即发布了一系列适配工业级应用的GaN产品。

2. 工业级GaN产品系列

依靠丰富的设计经验和专业的验证能力，云镓半导体陆续推出了适合不同功率段的GaN功率器件，封装形态覆盖DFN88、TOLL和TOLT等（代表产品列表如下，如需产品规格书和相关产品资料信息，请联系我们info@cloudsemi.net, 或登录云镓官网www.cloudsemi.net）。

3. WhyTOLL Package?

TOLL (Transistor Outline Leadless) 封装具有占板空间小，封装电阻低，寄生电感小，散热能力强等优点，使得其非常适合应用在大功率、大电流的应用场景，同时相较于DFN类封装，其焊点可靠性更高。目前该封装产品已广泛应用于数据中心，逆变储能、电动汽车等大电流应用场景。

更小的占板空间

更低的封装寄生电阻

与TO263相比，TOLL封装的占板面积减小~30%，高度降低~50%，整体节约~60%空间。这意味着TOLL封装非常适合高功率密度应用场合。

更低的封装电阻，意味着用TOLL封装的器件有着更小的导通电阻，更高的电流能力。与TO-263相比，TOLL封装电阻降低70%~80%。

更小的寄生电感

更强的散热能力

与TO-263相比，TOLL封装寄生电感降低了70%~85%。更低的封装寄生电感意味着TOLL封装具有更出色的EMI表现。

与TO-263相比，TOLL封装结壳热阻降低~60%。更低的热阻意味着更强的散热能力，大大提高器件的可靠性。

4. TOLTvs TOLL

TOLT (Transistor Outline Leaded Topside) 封装与TOLL封装均属于TOLx封装家族。TOLx封装被广泛用于大电流，高功率等工业级应用场景。与TOLL封装一样，TOLT具有相较于传统封装的诸多优势。同家族的TOLT与TOLL封装，其优势各有不同，对应到工业级细分领域各有差异。

TOLL封装为底部散热封装，其散热主要将热量传导至PCB，再通过高密过孔至散热器，散热路径相对较长：Junction → Case → Solder → PCB → VIAs → PCB → TIM → Heatsink。驱动器无法布局在功率器件背面，占板面积相对较大。

与TOLL封装不同，TOLT的封装采用顶部散热方式。顶部散热方式使得散热路径更短：Junction → Case → TIM → Heatsink，极大地优化了器件散热能力，降低了散热成本，最大限度发挥器件的性能且提高了器件的可靠性。同时，GaN功率器件下方无电气连接且发热少，可以将驱动器背面布线，更好实现驱动走线的磁场相消，同时在“寸土寸金”的高密电源中减少了布板面积，更有利于功率密度的提升。