X-Fab联手Soitec，推动碳化硅功率器件合作

纯晶圆代工厂 X-Fab 和 Soitec 宣布合作，在 X-Fab 位于德克萨斯州拉伯克的工厂采用 Soitec 的 SmartSiC 技术生产碳化硅（SiC）功率器件。这一合作建立在评估阶段成功完成的基础上，期间 X-Fab Texas 在 6 英寸 SmartSiC 晶圆上成功制造了 SiC 功率器件。

Soitec 将通过联合供应链寄售模式，为 X-Fab 的客户提供 SmartSiC 衬底的使用权。SmartSiC 是 Soitec 的专有技术，基于其 SmartCut 工艺，将高质量单晶（mono-SiC）“供体”晶圆分离并粘合到低电阻率多晶（poly-SiC）“处理”晶圆上。这种衬底可提高设备性能和制造产量，并允许多次重复使用单个供体晶片，从而降低成本和减少二氧化碳排放。

在快速增长的市场中，Soitec 正在法国格勒诺布尔附近的贝尔南工厂增加 SmartSiC 衬底的产量。同时，X-Fab 也在提高其拉伯克工厂的 SiC 器件生产能力。这种合作不仅优化了制造工艺，还显著提升了成本效益和环保效益，展示了两家公司在碳化硅功率器件市场上的创新和领导力。

这一合作反映了碳化硅功率器件市场的快速发展以及相关技术的进步。通过整合 Soitec 的 SmartSiC 技术和 X-Fab 的制造能力，两家公司将更好地满足市场需求，并推动整个行业的发展。未来，随着市场需求的不断增长，这一合作有望为高性能和高效能的碳化硅功率器件带来更多创新和突破。