英诺赛推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA

英诺赛科近日重磅发布700V GaN合封系列新品ISG610xQA，再次彰显了其在半导体领域的创新实力。这款新品不仅为消费电子领域量身定制，更以超高集成度支持从45W到140W的各类手机、平板和笔记本快充应用，满足了市场对高效、便捷充电的迫切需求。

ISG610xQA系列集成了700V GaN功率器件，并配备了自适应驱动电路、无损电流采样及多重保护功能，确保了产品的稳定性和可靠性。其零反向恢复电荷、2MHz高开关频率、高达80V输入电压和115uA低静态电流等特性，让其在同类产品中脱颖而出。

此外，英诺赛科还推出了与FCQFN兼容引脚设计的En-FCQFN GaN功率器件，进一步提升了产品的散热性能，解决了终端应用中的系统温升问题。这一创新封装技术不仅优化了散热性能，还拓宽了功率应用场景，满足了客户多样化的需求。