专注于SiC设备研发，季华恒一完成A轮融资

今年，SiC产业持续升温，各类相关企业纷纷获得融资，推动行业发展。近期，继盈鑫半导体完成首轮融资后，季华恒一（佛山）半导体科技有限公司也宣布了其融资进展。

5月11日，季华恒一在其官网上正式公布，公司成功完成了A轮融资。本轮融资由优山资本领投，季华璀璨（佛山）投资有限公司跟投。这一融资为季华恒一的未来发展注入了新的活力。

成立于2021年6月的季华恒一，是季华实验室（广东省先进制造科学与技术重点实验室）的科技成果产业化公司。公司致力于宽禁带半导体和新能源领域，专注于半导体装备的研发与产业化，产品线包括SiC单晶生长系统、SiC高温外延生长系统等多种高科技装备。

去年，季华恒一自主研发的高温离子注入设备成功交付客户，支持4至8英寸SiC晶片的离子注入工艺。同时，公司为浙江芯科半导体公司提供了一系列关键工艺设备，试制的6英寸1200V SiC JBS晶圆样品良品率超过95%。此外，其SiC激光退火设备也在12月交付了新订单。

季华恒一在短短几年内取得的成果令人瞩目，显示了其在SiC设备研发领域的强大实力。通过本轮融资，季华恒一不仅获得了资金支持，更为其未来的市场拓展奠定了坚实基础。我们期待看到更多创新成果的问世，为中国乃至全球的半导体产业注入新动能。