希科半导体：8英寸SiC外延片已具备量产能力

5月13日，希科半导体科技（苏州）有限公司宣布其研发团队成功在国产8英寸碳化硅衬底上实现同质外延生长，标志着公司正式具备8英寸SiC外延片量产能力。此次技术突破意味着希科半导体的8英寸SiC外延片已达到国际先进水平，其质量卓越，包括厚度不均匀性小于2%，掺杂浓度不均匀性小于4%，且3mm*3mm管芯良率高达97%以上。

该公司目前可提供多样化的SiC外延片产品，涵盖6英寸和8英寸多种类型。特别是8英寸SiC外延片，相比6英寸面积增加了78%，能有效降低SiC器件成本，预计将为SiC材料的降本增效提供重要支持。

希科半导体的这一成就，无疑将推动SiC材料在半导体领域的应用和发展。