扬杰科技与新洁能齐获SiC、GaN相关专利

扬杰科技和新洁能先后在第三代半导体领域取得突破性进展，为我国功率半导体产业注入了新的活力。

扬杰科技日前获得了一项“一种氮化镓MOSFET封装应力检测结构”专利。该专利涉及一种方便且可靠的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构，其制备工艺与常规工艺兼容，有望为功率半导体器件技术领域带来新的突破。此举将进一步巩固扬杰科技在SiC产业的领先地位。

同时，新洁能也宣布取得了一项“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法”专利。该专利涉及一种创新的碳化硅肖特基二极管，通过优化器件结构和掺杂浓度，显著提高了器件的击穿电压和浪涌电流能力，有望推动碳化硅器件在功率电子领域的应用。

这两家企业的突破性进展不仅为我国功率半导体产业带来新的技术突破，也为新能源汽车、工业电源等领域的发展提供了更为可靠和高效的解决方案。相信随着技术的不断进步，我国在第三代半导体领域将迎来更加光明的未来。