噩耗！“DRAM之父”去世！

一个时代的结束，也是新时代的开启。

Robert H Dennard，于2024年4月23日去世，享年91岁。Dennard凭借其对DRAM（动态随机存取存储器）的杰出贡献而广为人知，被誉为“DRAM之父”。比肩“摩尔定律”提出者——“戈登·摩尔”！

鲍勃1932年9月5日出生于德克萨斯州的特雷尔，从小就表现出对科学和数学的好奇心和天赋。在卡内基理工学院（现为卡内基梅隆大学）获得电气工程博士学位后，Bob于1958年在IBM开始了他的职业，并在那里度过了他漫长的工作生涯。

Robert H. Dennard 的生平和职业生涯堪称半导体行业和计算机技术发展的里程碑。作为DRAM（动态随机存取存储器）的发明者，他在1968年获得专利，这一创新奠定了现代计算机存储系统的基础。

此后，他提出的“登纳德缩放比例定律”（现称“登纳德缩放理论”）进一步为半导体行业的发展指明了方向，预言了晶体管尺寸的缩小将带来计算能力的大幅提升和成本的显著降低。

Dennard 的贡献不仅限于技术创新。他在 IBM 的 Thomas J. Watson 研究中心工作期间，参与了一个汇聚了全球顶尖科学家、电气工程师和物理学家的知识宝库。他乐于分享智慧，为后辈工程师提供了宝贵的指导。

Dennard 的成就与摩尔定律相互辉映，共同推动了半导体行业的“黄金时代”。这一时期见证了微处理器频率的飞速提升和存储空间的大幅增加，为软件应用的创新提供了强大的硬件支持，形成了一个技术进步的良性循环。

Robert H. Dennard 工作经历：

早年教育与学位：

◆ 1932年9月5日，Robert H. Dennard出生于美国德克萨斯州的特雷尔。◆1954年，在达拉斯南方卫理公会大学取得电机工程学士学位。◆1956年，取得硕士学位。◆1958年，在卡内基梅隆大学的前身卡内基技术学院取得博士学位。职业生涯开始：◆1958年，加入IBM公司，开始了他的职业生涯。

DRAM的发明：

◆1966年，在IBM Thomas J. Watson研究中心，他率先发明了DRAM存储器（动态随机存取存储器）。这种存储器基于“MOS型晶体管+电容结构”，具有能耗低、读写速度快且集成度高的特点。◆1968年，获得了DRAM的设计专利，这个专利是整个存储产业的基础。缩放理论（登纳德缩放比例定律）的提出：◆1972年，他提出了“缩放理论”（现称为“登纳德缩放比例定律”），为整个半导体行业指明了发展道路。这个理论指出，随着晶体管的尺寸不断缩小，给定空间中能够容纳的晶体管数量会越来越多，功能更强大，价格更低廉。

后续研发与荣誉：

◆1970年代与1980年代，投入MOSFET的scaling equations研发。◆1984年，当选为美国国家工程院院士。◆1997年，入选美国国家发明家名人堂，获得美国国家技术与创新奖章和麻省理工学院终身成就奖。

晚年与荣誉：

◆2013年，被授予久负盛名的京都基础科学奖。◆直至去世（2024年4月23日），他的工作仍对半导体和计算机存储技术产生深远影响。

Robert H. Dennard的一生是对科学和技术不懈追求的典范，他的贡献不仅改变了计算机存储领域，也为整个半导体行业带来了革命性的变革。

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