Transphorm和伟诠电合作发布新型氮化镓SiP器件

Transphorm与伟诠电子携手推出两款全新集成型氮化镓SiP器件，扩展了双方合作的SuperGaN®平台产品系列。新器件WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C分别具备150毫欧和480毫欧的SuperGaN FET，与伟诠电子的高频多模PWM控制器相结合，为电源适配器市场提供了高性能、易设计的解决方案。

这两款新器件不仅继承了上一款240毫欧器件的优势，如UHV谷底跟踪充电模式和自适应OCP补偿，更通过集成更多创新功能，助力客户简化设计流程，加快产品上市时间。Transphorm的SuperGaN技术以其卓越的稳固性、可靠性和高功率密度，为市场带来了前所未有的性能提升。

伟诠电子的市场推广副总裁Wayne Lo表示，这次合作将为客户带来更广泛的功率级选择，满足从低功率USB-C PD电源适配器到高功率充电器的不同需求。Transphorm全球销售及FAE副总裁Tushar Dhayagude也强调，SiP器件的推出是响应市场需求的重要步骤，将为客户提供更便捷、高效的电源解决方案。

这两款新器件现已推出，将助力终端产品制造商打造更小、更轻、更高效的电源产品，满足现代电子设备对快速充电和高效能源管理的需求。