三星暂缓High-NA EUV，恐落后英特尔

半导体行业迎来重大变革。英特尔宣布完成业界首台High-NA极紫外光（EUV）曝光设备组装，计划2025年投产1纳米级芯片。然而，与此同时，三星似乎仍在观望，尚未决定导入这一关键技术，可能因此落后英特尔2至3年。

High-NA EUV技术能显著提升半导体制造的精细度，是实现2纳米以下制程的关键。但该技术成本高昂，高达3.8亿美元，且技术难度极大。三星虽在EUV领域有所布局，但对High-NA技术却持谨慎态度。

据悉，三星与ASML已达成合作，计划于2027年引进High-NA设备。但这一时间点较英特尔晚，可能导致技术差距。业界人士分析，三星对High-NA技术的成本效益和可靠性存疑，因此在导入上持保守态度。

然而，随着英特尔在High-NA技术上的加速推进，三星面临的压力日益增大。如何在保持技术领先的同时，平衡成本和风险，成为三星亟待解决的问题。