ST利用18nm FD-SOI工艺生产嵌入式MCU

意法半导体(ST)近日发布了一项基于18纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技术并整合嵌入式相变存储器(ePCM)的先进制造工艺，旨在支持下一代嵌入式处理器的升级进化。这一技术的研发是意法半导体与三星晶圆代工厂的共同努力，为嵌入式处理应用带来了性能和功耗上的巨大提升，同时也能够集成更大容量的存储器和更多模拟数字外设。

新技术下的下一代STM32微控制器将于2024年下半年向部分客户提供样品，预计2025年下半年开始正式排产。与目前使用的ST 40nm嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术相比，新技术极大地提升了性能功耗比、存储器密度、数字电路密度和噪声系数，为嵌入式处理器的发展带来了新的可能性。

这项技术具有3V的工作电源电压，可以满足电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能的供电需求。此外，该技术经过了汽车市场的严格检验，具备耐高温工作、辐射硬化和数据保存期限长的特点，能够满足工业应用对于可靠性的高要求。

这一新技术的推出将推动嵌入式处理器领域的发展，为智能化、物联网等领域的应用提供更强大的支持。同时，对于汽车、工业控制等领域也将带来更可靠的解决方案，推动行业的不断创新和进步。