CoolSiC混合产品系列结合了650VTRENCHSTOP5IGBT技术的优势和共封装肖特基势垒CoolSiC二极管的单极结构。
英飞凌科技公司推出650VCoolSiC混合IGBT产品组合，采用650V阻断电压的分立封装。CoolSiC混合产品系列结合了650VTRENCHSTOP5IGBT技术和共封装肖特基势垒CoolSiC二极管单极结构的优点。
这些器件具有优异的开关频率和较低的开关损耗，特别适用于DC-DC电源转换器和功率因数校正（PFC）。这些器件通常用于电池充电基础设施、储能解决方案、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及服务器和电信开关电源(SMPS)等应用中。
由于采用了与IGBT共同封装的续流SiC肖特基势垒二极管，CoolSiC混合IGBT在dv/dt和di/dt值几乎不变的情况下，开关损耗显着降低。与标准硅二极管解决方案相比，它们的Eon和Eoff分别降低了60%和30%。或者，在输出功率要求不变的情况下，开关频率至少可以提高40%。更高的开关频率将允许减小无源元件的尺寸，从而降低材料清单成本。混合IGBT可以作为TRENCHSTOP5IGBT的替代产品，无需重新设计即可在每个10kHz开关频率下将效率提高0.1％。
该产品系列在纯硅解决方案和高性能SiCMOSFET设计之间架起了一座桥梁。不仅如此，与纯硅设计相比，混合IGBT还可以提高电磁兼容性和系统可靠性。由于肖特基势垒二极管的单极性，二极管可以快速开关，而不会出现严重的振荡和寄生导通的风险。客户可以选择TO-247-3或TO-247-4引脚的KelvinEmitter封装。KelvinEmitter封装的第四引脚可实现超低电感的栅极发射极控制环路，并降低总开关损耗。
CoolSiCHybrid分立IGBT系列沿袭了早期发布的CoolSiCHybridIGBTEasyPACK1B和2B模块的成功路线，采用IGBT芯片和CoolSiC肖特基二极管。该分立产品组合现在可以订购。它包括40A、50A和75A的650VTRENCHSTOP5超高速H5IGBT与半额定CoolSiCGen6二极管共同封装，或中速S5IGBT与全额定CoolSiCGen6二极管共同封装
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