逆袭！三星3nm良率提升三倍

随着三星电子3纳米制程的良率大幅提升，市场上掀起了一股强劲的热潮。据知名爆料人Revegnus透露，三星的3纳米良率从最初的仅有10%~20%上升到现在的三倍以上。这一消息给了市场一个强烈的信号，显示出三星对其第二代3纳米制程的期望十分高涨。

尽管三星的良率仍然低于台积电使用的现有"鳍式场效"（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）制程，但有消息称，三星对未来的性能、功耗以及面积前景持乐观态度，甚至有传言称其可能赶上台积电的N3P制程。

Revegnus还透露，据消息人士称，三星的3纳米制程在能源效率和逻辑区域方面都比4纳米FinFET有着20%~30%的改善，这进一步加深了市场的期待。

在此同时，韩国媒体TheElec报道称，三星共同CEO庆桂显在年度股东大会上表示，今年半导体营收有望重返2022年的水平。他提到，存储器事业已经从1月份的亏损转为盈利，而且正在积极开展与客户的合作，涉及到高带宽存储器（HBM）、开放性高速互连通讯协议CXL（Compute Express Link）以及存储器处理器（Processor In Memory，PIM）等领域。