中科院成功实现两种材料的异质集成

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所在硅基铌酸锂异质集成电光调制器方面取得重大突破。研究团队利用硅和铌酸锂的晶圆级键合技术，成功实现了两种材料的异质集成，为提升硅上电光调制器性能提供了新的解决方案。这一成果在光通信、数据中心和AI芯片等领域具有广泛的应用前景。

硅光技术以其CMOS兼容和高集成度等优点备受关注，但硅基电光调制器性能受限于其材料特性。铌酸锂因其低光吸收损耗和高效电光效应成为理想选择。通过“万能离子刀”技术，研究团队实现了铌酸锂薄膜与硅光芯片的大面积低缺陷密度集成，展现出优良的电光调制性能。

目前，上海新硅聚合已实现六英寸硅基铌酸锂异质晶圆的量产和批量供应，并正在推动八英寸晶圆的工程化技术。这一进展为硅基光电子技术的未来发展奠定了坚实基础，有望推动光通信技术的进一步革新。