英飞凌就GaN技术专利对英诺赛科提起诉讼

近日，全球知名的半导体公司英飞凌宣布，已针对中国珠海的英诺赛科（Innoscience）科技有限公司及其美国附属公司提起专利诉讼，指控其侵犯了英飞凌在氮化镓（GaN）技术领域的美国专利。这一行动标志着英飞凌在保护其知识产权和技术创新方面的坚定立场。

英飞凌作为半导体领域的领先者，一直在GaN功率半导体领域进行深入研究与开发。GaN作为一种宽带隙半导体材料，具有出色的开关性能，能够实现更小尺寸、更高效率和更低成本的电源系统，因此被广泛应用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动以及消费电子等众多领域。

英飞凌指控英诺赛科制造、使用、销售以及进口到美国的GaN晶体管产品侵犯了其专利权。英飞凌表示，其拥有的与GaN技术相关的专利涵盖了GaN功率半导体的核心方面，这些创新为英飞凌的GaN器件提供了卓越的可靠性和性能。

英飞凌电源与传感器系统部门总裁Adam White强调，GaN功率晶体管的生产需要全新的半导体设计和工艺，英飞凌凭借近二十年的GaN经验，能够保证终端产品实现最高性能所需的卓越品质。他表示，英飞凌将大力保护其知识产权，以维护所有客户和最终用户的利益。

此外，2023年10月24日，英飞凌宣布完成对GaN Systems的收购，这一举措进一步巩固了英飞凌在功率半导体领域的领先地位。英飞凌凭借其强大的GaN专利组合，包括约350个专利族，引领着行业的发展。市场分析师预测，用于功率应用的GaN收入将以惊人的复合年均增长率增长，到2028年预计将达到20亿美元。

随着技术的不断进步和市场竞争的加剧，保护知识产权和技术创新已成为企业持续发展的重要保障。