ASML最新EUV设备装机，专造2nm和3nm

ASML公司最近成功交付了首部升级版的Twinscan NXE:3800E微影设备，该设备采用了低数值孔径（low-NA）技术，专门用于制造2纳米和3纳米级的先进制程芯片。尽管ASML尚未公布该设备的完整规格，但根据先前的产品规划，3800E预计将带来更高的晶圆产量和晶圆对位精度。

据悉，这部微影设备已在一座晶圆厂内完成装机，标志着EUV微影技术在产能上的一大突破。相较于传统的深紫外光（DUV）微影设备，EUV微影技术的产能一直较低，而NXE:3800E的推出将有望改变这一局面。

尽管微影扫描设备的成本高昂，但NXE:3800E的引入对于ASML的逻辑和存储器晶圆厂客户来说，无疑是一个好消息。这些晶圆制造厂商将能够借助这部先进的设备，进一步优化和扩大其先进芯片的产量，满足市场对于高性能芯片不断增长的需求。同时，ASML还计划在未来继续开发更先进的低数值孔径EUV微影设备，以支持客户不断提升产能和效率。