年产2万片，泰科天润8英寸SiC功率器件基地复工

3月4日消息，泰科天润总部及8英寸碳化硅（SiC）功率器件生产基地项目已全面复工，标志着该项目正式进入实质性建设阶段。当前工程正在有序进行着打桩和结构施工准备工作。

这一项目的设立旨在构建总部及研发基地，并打造应用于新能源汽车和国家电网等领域的6-8英寸碳化硅功率器件生产基地。一期投资高达4亿元，计划年产2万片SiC SBD和MOSFET等类型晶圆，预计产值将在2028年达到8亿元。

泰科天润自2023年8月完成数亿元E轮融资以来，一直致力于总部建设和产品开发投入。该公司在北京和长沙进行产能布局，其中，2023年泰科天润在长沙的6英寸碳化硅功率器件生产项目已落地，总投资7亿元，满产后预计年产值可达13-15亿元人民币。

在半导体领域，泰科天润拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，位于北京，可实现在4/6英寸SiC晶圆上的半导体功率器件制造工艺。这一新项目的复工将进一步提升泰科天润在碳化硅功率器件领域的产能和技术实力，为新能源汽车等领域的发展注入新动力。

这一全新项目的启动标志着泰科天润在碳化硅功率器件领域的雄心勃勃，必将为新能源汽车的蓬勃发展提供强有力的支持。