普兴电子启动6英寸SiC外延片项目，预计年产24万片

根据河北普兴电子科技股份有限公司官网的信息，该公司近日进行了“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目”的第一次环境影响评价信息公示。该项目的总投资达到35070.16万元，将利用公司现有的1#厂房进行改扩建，建设一条6英寸低密度缺陷SiC外延材料生产线，预计年产24万片SiC外延片。

普兴电子成立于2000年，是中电科半导体材料有限公司的控股子公司，专注于高性能半导体材料的外延研发和生产。公司主要产品包括硅基外延片、氮化镓（GaN）和SiC外延片，广泛应用于多个领域，如清洁能源、新能源汽车、航空航天等。

近年来，普兴电子积极布局第三代半导体外延材料领域，启动了新外延材料产业基地建设项目，并已进入试生产和验证阶段。随着6英寸低密度缺陷SiC外延片产业化项目的实施，公司的SiC外延片产能将得到进一步提升，有望加强其在第三代半导体领域的竞争优势。