全球市占超30%，英诺赛科开创GaN新局面

2023年的发展成果揭示，英诺赛科已经成为第三代半导体领域的佼佼者。在硅基GaN芯片出货量超过5亿颗的背后，英诺赛科2023年在新品开发、技术研发、应用创新等方面都取得了令人瞩目的成就。

在新品开发方面，英诺赛科成功推出了一系列高压和低压GaN产品，包括700V高压GaN、650V系列产品和TO252高压GaN封装。此外，新推出的100V VGaN芯片广泛适用于48V/60V电池管理系统和电源系统中的开关电路，已经成功实现量产。

值得一提的是，英诺赛科在2021年率先实现自研双向导通VGaN产品的量产，并成功导入OPPO手机，成为全球首个在智能手机内部电源开关领域采用GaN芯片的品牌。目前，Vivo、联想、一加、Realme、摩托罗拉等智能手机也广泛采用VGaN实现充电保护。

英诺赛科的全球研发中心在苏州正式启用，致力于成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，预计未来将涌现更多新技术和新品。

根据披露的数据来看，英诺赛科的市占率已达30%以上，位居全球第一。2023年部分厂商整合业务结构，市场竞争格局发生变化，英诺赛科的市占率将跃居全球第一。在2024年，GaN市场有望迎来新的发展机遇，尤其是在光储充、车载激光雷达等高功率应用市场的渗透，新的机遇正在逐步酝酿。